IXFH50N85X
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Artikelnummer
IXFH50N85X
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
890W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
850V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4480pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8179 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH50N85X
IXFH50N85X Elektroniska komponenter
IXFH50N85X Försäljning
IXFH50N85X Leverantör
IXFH50N85X Distributör
IXFH50N85X Datatabell
IXFH50N85X Foton
IXFH50N85X Pris
IXFH50N85X Erbjudande
IXFH50N85X Lägsta pris
IXFH50N85X Sök
IXFH50N85X Köp av
IXFH50N85X Chip