IXFH32N50
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AD
Artikelnummer
IXFH32N50
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD (IXFH)
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7474 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH32N50
IXFH32N50 Elektroniska komponenter
IXFH32N50 Försäljning
IXFH32N50 Leverantör
IXFH32N50 Distributör
IXFH32N50 Datatabell
IXFH32N50 Foton
IXFH32N50 Pris
IXFH32N50 Erbjudande
IXFH32N50 Lägsta pris
IXFH32N50 Sök
IXFH32N50 Köp av
IXFH32N50 Chip