IXFH320N10T2
MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
Artikelnummer
IXFH320N10T2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, TrenchT2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD (IXFH)
Effektförlust (max)
1000W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
320A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
430nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
26000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13806 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH320N10T2
IXFH320N10T2 Elektroniska komponenter
IXFH320N10T2 Försäljning
IXFH320N10T2 Leverantör
IXFH320N10T2 Distributör
IXFH320N10T2 Datatabell
IXFH320N10T2 Foton
IXFH320N10T2 Pris
IXFH320N10T2 Erbjudande
IXFH320N10T2 Lägsta pris
IXFH320N10T2 Sök
IXFH320N10T2 Köp av
IXFH320N10T2 Chip