IXFH30N50Q3
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Artikelnummer
IXFH30N50Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD (IXFH)
Effektförlust (max)
690W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40007 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH30N50Q3
IXFH30N50Q3 Elektroniska komponenter
IXFH30N50Q3 Försäljning
IXFH30N50Q3 Leverantör
IXFH30N50Q3 Distributör
IXFH30N50Q3 Datatabell
IXFH30N50Q3 Foton
IXFH30N50Q3 Pris
IXFH30N50Q3 Erbjudande
IXFH30N50Q3 Lägsta pris
IXFH30N50Q3 Sök
IXFH30N50Q3 Köp av
IXFH30N50Q3 Chip