IXFH20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
Artikelnummer
IXFH20N100P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD (IXFH)
Effektförlust (max)
660W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
126nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42124 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH20N100P
IXFH20N100P Elektroniska komponenter
IXFH20N100P Försäljning
IXFH20N100P Leverantör
IXFH20N100P Distributör
IXFH20N100P Datatabell
IXFH20N100P Foton
IXFH20N100P Pris
IXFH20N100P Erbjudande
IXFH20N100P Lägsta pris
IXFH20N100P Sök
IXFH20N100P Köp av
IXFH20N100P Chip