IXFH160N15T2
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
Artikelnummer
IXFH160N15T2
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD (IXFH)
Effektförlust (max)
880W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
253nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19245 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH160N15T2
IXFH160N15T2 Elektroniska komponenter
IXFH160N15T2 Försäljning
IXFH160N15T2 Leverantör
IXFH160N15T2 Distributör
IXFH160N15T2 Datatabell
IXFH160N15T2 Foton
IXFH160N15T2 Pris
IXFH160N15T2 Erbjudande
IXFH160N15T2 Lägsta pris
IXFH160N15T2 Sök
IXFH160N15T2 Köp av
IXFH160N15T2 Chip