IXBX75N170A
IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
Artikelnummer
IXBX75N170A
Tillverkare/varumärke
Serier
BIMOSFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Ingångstyp
Standard
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Effekt - Max
1040W
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Omvänd återhämtningstid (trr)
360ns
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
110A
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
1700V
IGBT typ
-
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
6V @ 15V, 42A
Ström - Pulserande samlare (Icm)
300A
Energiövergång
3.8mJ (off)
Gateavgifter
358nC
BP (på/av) vid 25°C
26ns/418ns
Konditionstest
1360V, 42A, 1 Ohm, 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31895 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXBX75N170A
IXBX75N170A Elektroniska komponenter
IXBX75N170A Försäljning
IXBX75N170A Leverantör
IXBX75N170A Distributör
IXBX75N170A Datatabell
IXBX75N170A Foton
IXBX75N170A Pris
IXBX75N170A Erbjudande
IXBX75N170A Lägsta pris
IXBX75N170A Sök
IXBX75N170A Köp av
IXBX75N170A Chip