SPW11N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Artikelnummer
SPW11N80C3FKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO247-3
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 680µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46303 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPW11N80C3FKSA1
SPW11N80C3FKSA1 Elektroniska komponenter
SPW11N80C3FKSA1 Försäljning
SPW11N80C3FKSA1 Leverantör
SPW11N80C3FKSA1 Distributör
SPW11N80C3FKSA1 Datatabell
SPW11N80C3FKSA1 Foton
SPW11N80C3FKSA1 Pris
SPW11N80C3FKSA1 Erbjudande
SPW11N80C3FKSA1 Lägsta pris
SPW11N80C3FKSA1 Sök
SPW11N80C3FKSA1 Köp av
SPW11N80C3FKSA1 Chip