SPS02N60C3
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Artikelnummer
SPS02N60C3
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45320 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPS02N60C3
SPS02N60C3 Elektroniska komponenter
SPS02N60C3 Försäljning
SPS02N60C3 Leverantör
SPS02N60C3 Distributör
SPS02N60C3 Datatabell
SPS02N60C3 Foton
SPS02N60C3 Pris
SPS02N60C3 Erbjudande
SPS02N60C3 Lägsta pris
SPS02N60C3 Sök
SPS02N60C3 Köp av
SPS02N60C3 Chip