SPD02N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
Artikelnummer
SPD02N60C3BTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21063 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPD02N60C3BTMA1
SPD02N60C3BTMA1 Elektroniska komponenter
SPD02N60C3BTMA1 Försäljning
SPD02N60C3BTMA1 Leverantör
SPD02N60C3BTMA1 Distributör
SPD02N60C3BTMA1 Datatabell
SPD02N60C3BTMA1 Foton
SPD02N60C3BTMA1 Pris
SPD02N60C3BTMA1 Erbjudande
SPD02N60C3BTMA1 Lägsta pris
SPD02N60C3BTMA1 Sök
SPD02N60C3BTMA1 Köp av
SPD02N60C3BTMA1 Chip