Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SPB47N10L

SPB47N10L

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Artikelnummer
SPB47N10L
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
175W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35114 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SPB47N10L
SPB47N10L Elektroniska komponenter
SPB47N10L Försäljning
SPB47N10L Leverantör
SPB47N10L Distributör
SPB47N10L Datatabell
SPB47N10L Foton
SPB47N10L Pris
SPB47N10L Erbjudande
SPB47N10L Lägsta pris
SPB47N10L Sök
SPB47N10L Köp av
SPB47N10L Chip