SPB35N10T
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Artikelnummer
SPB35N10T
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
44 mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5703 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPB35N10T
SPB35N10T Elektroniska komponenter
SPB35N10T Försäljning
SPB35N10T Leverantör
SPB35N10T Distributör
SPB35N10T Datatabell
SPB35N10T Foton
SPB35N10T Pris
SPB35N10T Erbjudande
SPB35N10T Lägsta pris
SPB35N10T Sök
SPB35N10T Köp av
SPB35N10T Chip