SPB21N10 G
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Artikelnummer
SPB21N10 G
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
90W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 44µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
865pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22763 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPB21N10 G
SPB21N10 G Elektroniska komponenter
SPB21N10 G Försäljning
SPB21N10 G Leverantör
SPB21N10 G Distributör
SPB21N10 G Datatabell
SPB21N10 G Foton
SPB21N10 G Pris
SPB21N10 G Erbjudande
SPB21N10 G Lägsta pris
SPB21N10 G Sök
SPB21N10 G Köp av
SPB21N10 G Chip