SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
Artikelnummer
SPB20N60C3ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
208W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
114nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8446 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPB20N60C3ATMA1
SPB20N60C3ATMA1 Elektroniska komponenter
SPB20N60C3ATMA1 Försäljning
SPB20N60C3ATMA1 Leverantör
SPB20N60C3ATMA1 Distributör
SPB20N60C3ATMA1 Datatabell
SPB20N60C3ATMA1 Foton
SPB20N60C3ATMA1 Pris
SPB20N60C3ATMA1 Erbjudande
SPB20N60C3ATMA1 Lägsta pris
SPB20N60C3ATMA1 Sök
SPB20N60C3ATMA1 Köp av
SPB20N60C3ATMA1 Chip