IRLR8729PBF
MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
Artikelnummer
IRLR8729PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
55W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46801 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR8729PBF
IRLR8729PBF Elektroniska komponenter
IRLR8729PBF Försäljning
IRLR8729PBF Leverantör
IRLR8729PBF Distributör
IRLR8729PBF Datatabell
IRLR8729PBF Foton
IRLR8729PBF Pris
IRLR8729PBF Erbjudande
IRLR8729PBF Lägsta pris
IRLR8729PBF Sök
IRLR8729PBF Köp av
IRLR8729PBF Chip