IRLR8503PBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Artikelnummer
IRLR8503PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
62W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53851 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR8503PBF
IRLR8503PBF Elektroniska komponenter
IRLR8503PBF Försäljning
IRLR8503PBF Leverantör
IRLR8503PBF Distributör
IRLR8503PBF Datatabell
IRLR8503PBF Foton
IRLR8503PBF Pris
IRLR8503PBF Erbjudande
IRLR8503PBF Lägsta pris
IRLR8503PBF Sök
IRLR8503PBF Köp av
IRLR8503PBF Chip