IRLR8113PBF
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Artikelnummer
IRLR8113PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
94A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2920pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23207 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR8113PBF
IRLR8113PBF Elektroniska komponenter
IRLR8113PBF Försäljning
IRLR8113PBF Leverantör
IRLR8113PBF Distributör
IRLR8113PBF Datatabell
IRLR8113PBF Foton
IRLR8113PBF Pris
IRLR8113PBF Erbjudande
IRLR8113PBF Lägsta pris
IRLR8113PBF Sök
IRLR8113PBF Köp av
IRLR8113PBF Chip