IRLR4343TRL
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Artikelnummer
IRLR4343TRL
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18582 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR4343TRL
IRLR4343TRL Elektroniska komponenter
IRLR4343TRL Försäljning
IRLR4343TRL Leverantör
IRLR4343TRL Distributör
IRLR4343TRL Datatabell
IRLR4343TRL Foton
IRLR4343TRL Pris
IRLR4343TRL Erbjudande
IRLR4343TRL Lägsta pris
IRLR4343TRL Sök
IRLR4343TRL Köp av
IRLR4343TRL Chip