IRLR4343TR
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Artikelnummer
IRLR4343TR
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15943 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR4343TR
IRLR4343TR Elektroniska komponenter
IRLR4343TR Försäljning
IRLR4343TR Leverantör
IRLR4343TR Distributör
IRLR4343TR Datatabell
IRLR4343TR Foton
IRLR4343TR Pris
IRLR4343TR Erbjudande
IRLR4343TR Lägsta pris
IRLR4343TR Sök
IRLR4343TR Köp av
IRLR4343TR Chip