IRLR3715Z
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
Artikelnummer
IRLR3715Z
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29073 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR3715Z
IRLR3715Z Elektroniska komponenter
IRLR3715Z Försäljning
IRLR3715Z Leverantör
IRLR3715Z Distributör
IRLR3715Z Datatabell
IRLR3715Z Foton
IRLR3715Z Pris
IRLR3715Z Erbjudande
IRLR3715Z Lägsta pris
IRLR3715Z Sök
IRLR3715Z Köp av
IRLR3715Z Chip