IRLR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Artikelnummer
IRLR2905Z
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41223 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR2905Z
IRLR2905Z Elektroniska komponenter
IRLR2905Z Försäljning
IRLR2905Z Leverantör
IRLR2905Z Distributör
IRLR2905Z Datatabell
IRLR2905Z Foton
IRLR2905Z Pris
IRLR2905Z Erbjudande
IRLR2905Z Lägsta pris
IRLR2905Z Sök
IRLR2905Z Köp av
IRLR2905Z Chip