IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Artikelnummer
IRLR120NTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
48W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26493 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF Elektroniska komponenter
IRLR120NTRPBF Försäljning
IRLR120NTRPBF Leverantör
IRLR120NTRPBF Distributör
IRLR120NTRPBF Datatabell
IRLR120NTRPBF Foton
IRLR120NTRPBF Pris
IRLR120NTRPBF Erbjudande
IRLR120NTRPBF Lägsta pris
IRLR120NTRPBF Sök
IRLR120NTRPBF Köp av
IRLR120NTRPBF Chip