IRL3502STRRPBF
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Artikelnummer
IRL3502STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 7V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38405 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL3502STRRPBF
IRL3502STRRPBF Elektroniska komponenter
IRL3502STRRPBF Försäljning
IRL3502STRRPBF Leverantör
IRL3502STRRPBF Distributör
IRL3502STRRPBF Datatabell
IRL3502STRRPBF Foton
IRL3502STRRPBF Pris
IRL3502STRRPBF Erbjudande
IRL3502STRRPBF Lägsta pris
IRL3502STRRPBF Sök
IRL3502STRRPBF Köp av
IRL3502STRRPBF Chip