IRL3102S
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Artikelnummer
IRL3102S
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 37A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 7V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25889 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL3102S
IRL3102S Elektroniska komponenter
IRL3102S Försäljning
IRL3102S Leverantör
IRL3102S Distributör
IRL3102S Datatabell
IRL3102S Foton
IRL3102S Pris
IRL3102S Erbjudande
IRL3102S Lägsta pris
IRL3102S Sök
IRL3102S Köp av
IRL3102S Chip