IRFHM8363TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Artikelnummer
IRFHM8363TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Effekt - Max
2.7W
Leverantörsenhetspaket
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1165pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14841 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFHM8363TR2PBF
IRFHM8363TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFHM8363TR2PBF Försäljning
IRFHM8363TR2PBF Leverantör
IRFHM8363TR2PBF Distributör
IRFHM8363TR2PBF Datatabell
IRFHM8363TR2PBF Foton
IRFHM8363TR2PBF Pris
IRFHM8363TR2PBF Erbjudande
IRFHM8363TR2PBF Lägsta pris
IRFHM8363TR2PBF Sök
IRFHM8363TR2PBF Köp av
IRFHM8363TR2PBF Chip