IRFH3707TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
Artikelnummer
IRFH3707TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.8W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 29A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
755pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48254 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH3707TR2PBF
IRFH3707TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFH3707TR2PBF Försäljning
IRFH3707TR2PBF Leverantör
IRFH3707TR2PBF Distributör
IRFH3707TR2PBF Datatabell
IRFH3707TR2PBF Foton
IRFH3707TR2PBF Pris
IRFH3707TR2PBF Erbjudande
IRFH3707TR2PBF Lägsta pris
IRFH3707TR2PBF Sök
IRFH3707TR2PBF Köp av
IRFH3707TR2PBF Chip