IRFHM831TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Artikelnummer
IRFHM831TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29081 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFHM831TRPBF
IRFHM831TRPBF Elektroniska komponenter
IRFHM831TRPBF Försäljning
IRFHM831TRPBF Leverantör
IRFHM831TRPBF Distributör
IRFHM831TRPBF Datatabell
IRFHM831TRPBF Foton
IRFHM831TRPBF Pris
IRFHM831TRPBF Erbjudande
IRFHM831TRPBF Lägsta pris
IRFHM831TRPBF Sök
IRFHM831TRPBF Köp av
IRFHM831TRPBF Chip