IRFHM831TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Artikelnummer
IRFHM831TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54956 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFHM831TR2PBF
IRFHM831TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFHM831TR2PBF Försäljning
IRFHM831TR2PBF Leverantör
IRFHM831TR2PBF Distributör
IRFHM831TR2PBF Datatabell
IRFHM831TR2PBF Foton
IRFHM831TR2PBF Pris
IRFHM831TR2PBF Erbjudande
IRFHM831TR2PBF Lägsta pris
IRFHM831TR2PBF Sök
IRFHM831TR2PBF Köp av
IRFHM831TR2PBF Chip