IRFHM830TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Artikelnummer
IRFHM830TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-VQFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2155pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43441 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFHM830TR2PBF
IRFHM830TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFHM830TR2PBF Försäljning
IRFHM830TR2PBF Leverantör
IRFHM830TR2PBF Distributör
IRFHM830TR2PBF Datatabell
IRFHM830TR2PBF Foton
IRFHM830TR2PBF Pris
IRFHM830TR2PBF Erbjudande
IRFHM830TR2PBF Lägsta pris
IRFHM830TR2PBF Sök
IRFHM830TR2PBF Köp av
IRFHM830TR2PBF Chip