IRFHM830DTRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Artikelnummer
IRFHM830DTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-VQFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 37W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1797pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36861 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFHM830DTRPBF
IRFHM830DTRPBF Elektroniska komponenter
IRFHM830DTRPBF Försäljning
IRFHM830DTRPBF Leverantör
IRFHM830DTRPBF Distributör
IRFHM830DTRPBF Datatabell
IRFHM830DTRPBF Foton
IRFHM830DTRPBF Pris
IRFHM830DTRPBF Erbjudande
IRFHM830DTRPBF Lägsta pris
IRFHM830DTRPBF Sök
IRFHM830DTRPBF Köp av
IRFHM830DTRPBF Chip