IRFH8337TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Artikelnummer
IRFH8337TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.2W (Ta), 27W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54614 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH8337TR2PBF
IRFH8337TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFH8337TR2PBF Försäljning
IRFH8337TR2PBF Leverantör
IRFH8337TR2PBF Distributör
IRFH8337TR2PBF Datatabell
IRFH8337TR2PBF Foton
IRFH8337TR2PBF Pris
IRFH8337TR2PBF Erbjudande
IRFH8337TR2PBF Lägsta pris
IRFH8337TR2PBF Sök
IRFH8337TR2PBF Köp av
IRFH8337TR2PBF Chip