IRFH8318TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Artikelnummer
IRFH8318TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Ta), 120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3180pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49563 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH8318TR2PBF
IRFH8318TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFH8318TR2PBF Försäljning
IRFH8318TR2PBF Leverantör
IRFH8318TR2PBF Distributör
IRFH8318TR2PBF Datatabell
IRFH8318TR2PBF Foton
IRFH8318TR2PBF Pris
IRFH8318TR2PBF Erbjudande
IRFH8318TR2PBF Lägsta pris
IRFH8318TR2PBF Sök
IRFH8318TR2PBF Köp av
IRFH8318TR2PBF Chip