IRFH6200TR2PBF
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Artikelnummer
IRFH6200TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10890pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37668 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH6200TR2PBF
IRFH6200TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFH6200TR2PBF Försäljning
IRFH6200TR2PBF Leverantör
IRFH6200TR2PBF Distributör
IRFH6200TR2PBF Datatabell
IRFH6200TR2PBF Foton
IRFH6200TR2PBF Pris
IRFH6200TR2PBF Erbjudande
IRFH6200TR2PBF Lägsta pris
IRFH6200TR2PBF Sök
IRFH6200TR2PBF Köp av
IRFH6200TR2PBF Chip