IRFH5406TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
Artikelnummer
IRFH5406TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 46W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14.4 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1256pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13626 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH5406TR2PBF
IRFH5406TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFH5406TR2PBF Försäljning
IRFH5406TR2PBF Leverantör
IRFH5406TR2PBF Distributör
IRFH5406TR2PBF Datatabell
IRFH5406TR2PBF Foton
IRFH5406TR2PBF Pris
IRFH5406TR2PBF Erbjudande
IRFH5406TR2PBF Lägsta pris
IRFH5406TR2PBF Sök
IRFH5406TR2PBF Köp av
IRFH5406TR2PBF Chip