IRFH5302TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Artikelnummer
IRFH5302TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6) Single Die
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
76nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49935 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH5302TRPBF
IRFH5302TRPBF Elektroniska komponenter
IRFH5302TRPBF Försäljning
IRFH5302TRPBF Leverantör
IRFH5302TRPBF Distributör
IRFH5302TRPBF Datatabell
IRFH5302TRPBF Foton
IRFH5302TRPBF Pris
IRFH5302TRPBF Erbjudande
IRFH5302TRPBF Lägsta pris
IRFH5302TRPBF Sök
IRFH5302TRPBF Köp av
IRFH5302TRPBF Chip