IRFH5220TR2PBF
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Artikelnummer
IRFH5220TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-VQFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1380pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34152 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH5220TR2PBF
IRFH5220TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFH5220TR2PBF Försäljning
IRFH5220TR2PBF Leverantör
IRFH5220TR2PBF Distributör
IRFH5220TR2PBF Datatabell
IRFH5220TR2PBF Foton
IRFH5220TR2PBF Pris
IRFH5220TR2PBF Erbjudande
IRFH5220TR2PBF Lägsta pris
IRFH5220TR2PBF Sök
IRFH5220TR2PBF Köp av
IRFH5220TR2PBF Chip