Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRFH5215TR2PBF

IRFH5215TR2PBF

MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
Artikelnummer
IRFH5215TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-VQFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Ta), 27A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5474 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRFH5215TR2PBF
IRFH5215TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFH5215TR2PBF Försäljning
IRFH5215TR2PBF Leverantör
IRFH5215TR2PBF Distributör
IRFH5215TR2PBF Datatabell
IRFH5215TR2PBF Foton
IRFH5215TR2PBF Pris
IRFH5215TR2PBF Erbjudande
IRFH5215TR2PBF Lägsta pris
IRFH5215TR2PBF Sök
IRFH5215TR2PBF Köp av
IRFH5215TR2PBF Chip