IRFH5110TR2PBF
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Artikelnummer
IRFH5110TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 114W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.4 mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3152pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19651 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH5110TR2PBF
IRFH5110TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFH5110TR2PBF Försäljning
IRFH5110TR2PBF Leverantör
IRFH5110TR2PBF Distributör
IRFH5110TR2PBF Datatabell
IRFH5110TR2PBF Foton
IRFH5110TR2PBF Pris
IRFH5110TR2PBF Erbjudande
IRFH5110TR2PBF Lägsta pris
IRFH5110TR2PBF Sök
IRFH5110TR2PBF Köp av
IRFH5110TR2PBF Chip