IRFH5025TR2PBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
Artikelnummer
IRFH5025TR2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-VQFN
Leverantörsenhetspaket
8-QFN
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2150pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5030 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH5025TR2PBF
IRFH5025TR2PBF Elektroniska komponenter
IRFH5025TR2PBF Försäljning
IRFH5025TR2PBF Leverantör
IRFH5025TR2PBF Distributör
IRFH5025TR2PBF Datatabell
IRFH5025TR2PBF Foton
IRFH5025TR2PBF Pris
IRFH5025TR2PBF Erbjudande
IRFH5025TR2PBF Lägsta pris
IRFH5025TR2PBF Sök
IRFH5025TR2PBF Köp av
IRFH5025TR2PBF Chip