IRF9Z24NPBF
MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
Artikelnummer
IRF9Z24NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
45W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11958 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9Z24NPBF
IRF9Z24NPBF Elektroniska komponenter
IRF9Z24NPBF Försäljning
IRF9Z24NPBF Leverantör
IRF9Z24NPBF Distributör
IRF9Z24NPBF Datatabell
IRF9Z24NPBF Foton
IRF9Z24NPBF Pris
IRF9Z24NPBF Erbjudande
IRF9Z24NPBF Lägsta pris
IRF9Z24NPBF Sök
IRF9Z24NPBF Köp av
IRF9Z24NPBF Chip