IRF9910TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF9910TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A, 12A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51208 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9910TRPBF
IRF9910TRPBF Elektroniska komponenter
IRF9910TRPBF Försäljning
IRF9910TRPBF Leverantör
IRF9910TRPBF Distributör
IRF9910TRPBF Datatabell
IRF9910TRPBF Foton
IRF9910TRPBF Pris
IRF9910TRPBF Erbjudande
IRF9910TRPBF Lägsta pris
IRF9910TRPBF Sök
IRF9910TRPBF Köp av
IRF9910TRPBF Chip