IRF9910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF9910PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A, 12A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54608 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9910PBF
IRF9910PBF Elektroniska komponenter
IRF9910PBF Försäljning
IRF9910PBF Leverantör
IRF9910PBF Distributör
IRF9910PBF Datatabell
IRF9910PBF Foton
IRF9910PBF Pris
IRF9910PBF Erbjudande
IRF9910PBF Lägsta pris
IRF9910PBF Sök
IRF9910PBF Köp av
IRF9910PBF Chip