IRF9333PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
Artikelnummer
IRF9333PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38915 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9333PBF
IRF9333PBF Elektroniska komponenter
IRF9333PBF Försäljning
IRF9333PBF Leverantör
IRF9333PBF Distributör
IRF9333PBF Datatabell
IRF9333PBF Foton
IRF9333PBF Pris
IRF9333PBF Erbjudande
IRF9333PBF Lägsta pris
IRF9333PBF Sök
IRF9333PBF Köp av
IRF9333PBF Chip