Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF7832ZTR

IRF7832ZTR

MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7832ZTR
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3860pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35664 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF7832ZTR
IRF7832ZTR Elektroniska komponenter
IRF7832ZTR Försäljning
IRF7832ZTR Leverantör
IRF7832ZTR Distributör
IRF7832ZTR Datatabell
IRF7832ZTR Foton
IRF7832ZTR Pris
IRF7832ZTR Erbjudande
IRF7832ZTR Lägsta pris
IRF7832ZTR Sök
IRF7832ZTR Köp av
IRF7832ZTR Chip