IRF7831PBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7831PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6240pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7228 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7831PBF
IRF7831PBF Elektroniska komponenter
IRF7831PBF Försäljning
IRF7831PBF Leverantör
IRF7831PBF Distributör
IRF7831PBF Datatabell
IRF7831PBF Foton
IRF7831PBF Pris
IRF7831PBF Erbjudande
IRF7831PBF Lägsta pris
IRF7831PBF Sök
IRF7831PBF Köp av
IRF7831PBF Chip