IRF7821GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7821GTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6799 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7821GTRPBF
IRF7821GTRPBF Elektroniska komponenter
IRF7821GTRPBF Försäljning
IRF7821GTRPBF Leverantör
IRF7821GTRPBF Distributör
IRF7821GTRPBF Datatabell
IRF7821GTRPBF Foton
IRF7821GTRPBF Pris
IRF7821GTRPBF Erbjudande
IRF7821GTRPBF Lägsta pris
IRF7821GTRPBF Sök
IRF7821GTRPBF Köp av
IRF7821GTRPBF Chip