IRF7820PBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Artikelnummer
IRF7820PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54737 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7820PBF
IRF7820PBF Elektroniska komponenter
IRF7820PBF Försäljning
IRF7820PBF Leverantör
IRF7820PBF Distributör
IRF7820PBF Datatabell
IRF7820PBF Foton
IRF7820PBF Pris
IRF7820PBF Erbjudande
IRF7820PBF Lägsta pris
IRF7820PBF Sök
IRF7820PBF Köp av
IRF7820PBF Chip