IRF7811WGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7811WGTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
3.1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2335pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38701 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7811WGTRPBF
IRF7811WGTRPBF Elektroniska komponenter
IRF7811WGTRPBF Försäljning
IRF7811WGTRPBF Leverantör
IRF7811WGTRPBF Distributör
IRF7811WGTRPBF Datatabell
IRF7811WGTRPBF Foton
IRF7811WGTRPBF Pris
IRF7811WGTRPBF Erbjudande
IRF7811WGTRPBF Lägsta pris
IRF7811WGTRPBF Sök
IRF7811WGTRPBF Köp av
IRF7811WGTRPBF Chip