IRF7811APBF
MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7811APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
28V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1760pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50865 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7811APBF
IRF7811APBF Elektroniska komponenter
IRF7811APBF Försäljning
IRF7811APBF Leverantör
IRF7811APBF Distributör
IRF7811APBF Datatabell
IRF7811APBF Foton
IRF7811APBF Pris
IRF7811APBF Erbjudande
IRF7811APBF Lägsta pris
IRF7811APBF Sök
IRF7811APBF Köp av
IRF7811APBF Chip