IRF7807ZTR
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7807ZTR
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50001 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7807ZTR
IRF7807ZTR Elektroniska komponenter
IRF7807ZTR Försäljning
IRF7807ZTR Leverantör
IRF7807ZTR Distributör
IRF7807ZTR Datatabell
IRF7807ZTR Foton
IRF7807ZTR Pris
IRF7807ZTR Erbjudande
IRF7807ZTR Lägsta pris
IRF7807ZTR Sök
IRF7807ZTR Köp av
IRF7807ZTR Chip